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Condensatore di smorzamento SVG DC-Link per la soppressione dell'anello di cella a 67 kHz
L'oscillazione del collegamento CC della cella SVG a 40–100 kHz riscalda il banco principale e corrompe il campionamento della tensione. Il dimensionamento dello smorzatore dall'impedenza caratteristica, N4700 e HVR-BSP selezione e controllo tramite diodi, con risultati sul campo.
Condensatore di smorzamento SVG DC-Link per la soppressione dell'anello di cella a 67 kHz
Risposta ingegneristica
Dimensionare la resistenza di smorzamento in base all'impedenza caratteristica dell'anello: R_d = Z0, con X_Cd(f_ring) ≈ R_d. Ciò fornisce ζ ≈ 0.5, riduce il primo overshoot al 16% del gradino e termina l'anello entro due cicli. Su un anello misurato da 0.505 Ω, 0.47 Ω e 4.7 µF hanno trasformato un anello da 20.2 V in 3.2 V — un picco 6 volte inferiore e un anello 16 volte più corto.
- Misura f_ring e Z0 prima di dimensionare qualsiasi cosa
- Imposta R_d = Z0 e utilizza una resistenza non induttiva
- Abbina X_Cd(f_ring) a R_d e riduci il valore del condensatore per la polarizzazione in corrente continua.
- Aggiungere un diodo di pilotaggio da 75 ns in parallelo al resistore
- Eseguire una riverifica dopo le modifiche al layout e monitorare la banda 40–100 kHz.
Astratto
Un generatore sincrono a catena (SVG) raggiunge ±35 kV grazie alla cascata di 6-12 celle a ponte H per fase. Ogni cella contiene un banco di celle di collegamento in corrente continua (DC-link) da 800-1200 V commutato a 2-10 kHz, e ogni fronte di salita eccita una risonanza con l'induttanza del bus. L'anello si stabilizza intorno ai 67 kHz, invisibile al circuito di controllo ma che riscalda il banco attraverso la sua ESR (resistenza equivalente in serie). Circa il 26% del campo del DC-link ritorna a questa sollecitazione. Questo articolo fornisce la regola di dimensionamento, il duty cycle delle resistenze e il ramo controllato dai diodi.
1. introduzione
Un generatore di tensione a catena (SVG) somma da 6 a 12 celle a ponte H in cascata per fase per raggiungere ±35 kV. Ogni cella contiene un banco di celle in corrente continua a 800-1200 V, commutato da IGBT a 2-10 kHz. Tra un evento di commutazione e l'altro, la porta della cella non è inattiva: il banco di celle, l'induttanza del bus e la corrente di spegnimento formano un circuito risonante che vibra ad ogni transizione.
Accorciare la barra conduttrice è la soluzione più comune, e in molte celle funziona. In una cella compatta, dove il banco di IGBT si trova a 20-40 cm dall'IGBT, la frequenza di risonanza dell'anello è compresa tra 40 e 100 kHz. Il circuito di controllo non la percepisce. Il banco di IGBT, invece, sì: la sua resistenza serie equivalente (ESR) trasforma l'anello in calore, e l'anello aggiunge 15-30 V ad ogni fronte di commutazione, quattrocento milioni di volte all'anno.
Nota di ambito: il banco di archiviazione principale DC-link rimane un condensatore a film o banco elettrolitico nelle centinaia di microfarad, e lo smorzatore qui descritto non lo sostituisce. È un piccolo nodo periferico — un N4700 banca in ceramica con un HVR-BSP resistore non induttivo: assorbe l'anello che il banco principale non può vedere. Nei dati di analisi dei guasti HVC su flotte SVG in cascata, circa il 26% dei ritorni di campo del collegamento CC è riconducibile a stress da oscillazione: fatica dei terminali, sfiato guidato dall'ondulazione ed erosione dell'isolamento vicino all'IGBT.
2. Meccanismo fondamentale
2.1 La risonanza dietro la porta CC della cella
Ogni lato di deviazione lascia L_loop (busbar più banco ESL) che trasporta I_off senza percorso se non la faccia ad alta frequenza del banco C_HF.
f_ring = 1 / (2π·√(L_loop·C_HF)), Z0 = √(L_loop / C_HF)
dove L_loop è l'induttanza dell'anello, C_HF è la capacità del banco ad alta frequenza, f_ring è la frequenza dell'anello e Z0 è l'impedenza caratteristica dell'anello.
Con L_loop = 1.2 µH e C_HF = 4.7 µF, f_ring = 66.9 kHz e Z0 = 0.505 Ω. Uno step di 40 A richiede quindi alla porta ΔV = I_off·Z0 = 20.2 V, due volte per ciclo a 3 kHz. Il layout imposta f_ring. Il progetto controlla solo la velocità di decadimento dell'anello.
2.2 Il rapporto di smorzamento determina il decadimento dell'anello
Il rapporto di smorzamento è ζ = R_totale/(2·Z0), dove R_totale è la resistenza superficiale dell'anello, l'ESR del banco e qualsiasi smorzatore. Un anello non smorzato di circa 15 mΩ fornisce ζ ≈ 0.015: il primo overshoot passa quasi senza attenuazione e l'anello persiste per circa 33 cicli, oltre 0.5 ms per fronte.
Un smorzatore RC in serie aggiunge un percorso di perdita a f_ring. La regola di dimensionamento è R_d = Z0 con X_Cd(f_ring) ≈ R_d, che fornisce ζ ≈ 0.5. Con R_d = 0.47 Ω e C_d = 4.7 µF, X_Cd = 0.51 Ω a 66.9 kHz — adattamento.
ΔV_first = ΔV · exp(−πζ/√(1−ζ²))
dove ΔV è l'ampiezza del gradino, ζ il rapporto di smorzamento e ΔV_first il primo overshoot. A ζ = 0.5 l'overshoot si riduce al 16% del gradino, quindi 20.2 V diventano 3.2 V: un picco 6 volte più basso e un anello 16 volte più corto.
2.3 Ciclo di lavoro della resistenza: energia per fronte e potenza media
Il resistore di smorzamento assorbe l'energia dell'anello, E ≈ ½·C_d·ΔV² per bordo.
E = ½ · C_d · ΔV², P = E · f_edge
dove C_d è la capacità di smorzamento, ΔV l'ampiezza dell'anello, E l'energia per bordo, f_edge la frequenza dei bordi e P la potenza media.
A ΔV ≈ 20 V, E = ½ × 4.7 µF × 400 = 0.94 mJ. A 3 kHz con due fronti per ciclo, P = 0.94 mJ × 6,000/s = 5.6 W. Questa potenza media dimensiona il componente. Un 5 W HVR-BSP-Il resistore non induttivo di classe con una potenza adiabatica ≥2 J assorbe ogni impulso come una leggera ondulazione di temperatura.
Un componente avvolto con un'induttanza di 75 nH presenta una resistenza X_L = 31.5 Ω a 67 kHz, circa sessanta volte il suo valore in corrente continua. Alla frequenza di risonanza si comporta come un circuito aperto e non fornisce smorzamento.
2.4 Il diodo di sterzo dimezza il lavoro della resistenza
Collegato solo tramite C_d, lo smorzatore non disperde corrente continua. Il resistore, tuttavia, vede semicicli a polarità inversa e C_d oscilla oltre la sua polarizzazione completa di 900 V. In antiparallelo un diodo a recupero rapido Il segnale in ingresso attraverso R_d instrada il fronte di sovraelongazione attraverso R_d e lascia passare liberamente il semiciclo di recupero attraverso il diodo. Il duty cycle della resistenza si dimezza e C_d rimane polarizzato in modo costante.
La velocità del diodo deriva dall'anello: il semiperiodo è di 7.5 µs, quindi t_rr ≤ 75 ns. Una parte da 30 A/75 ns aggiunge Q_rr ≈ 2.2 µC, che sposta 0.47 V ai capi di C_d — trascurabile rispetto alla tensione residua di 3.2 V.
3. Punti critici di ingegneria
Punto critico 1: La corrente principale è stata sfiatata dopo due anni di corrente ad anello.
Un parco eolico costiero da 2 MW, gestito da SVG, ha sostituito le sue batterie dopo 24 mesi anziché dopo i 10 anni previsti. I dati di telemetria non hanno mostrato anomalie: 900 V ± 2 V e temperature nominali.
Le unità restituite mostravano la causa: segni di sfiato, pad isolanti erosi in prossimità dell'IGBT e una linea di picco di 18 V a 71 kHz su una cattura di debug che nessuno aveva riletto. L'anello trasferiva 0.8 mJ per bordo nell'ESR del banco, ovvero 4.8 W di riscaldamento aggiuntivo continuo ai terminali. Il banco era stato specificato per 6 A RMS a 100 Hz; l'anello aggiungeva 3.9 A RMS a 71 kHz, esattamente dove si concentra il riscaldamento dovuto all'ESR elettrolitica.
Un ammortizzatore N4700 da 4.7 µF con un'impedenza di 0.47 Ω HVR-BSP La resistenza su ciascuna porta della cella ha risolto il problema. La tensione di linea registrata è scesa da 18 V a 2.8 V e la temperatura del punto caldo del terminale è diminuita di 11 °C.
Punto critico 2: anello a 67 kHz accoppiato alla catena di campionamento della tensione
Un gruppo di celle SVG ha mostrato una dispersione cronica della tensione di cella di ±14 V senza alcuna traccia termica. Il punto di campionamento del divisore di ciascuna cella si trovava a 6 cm dal terminale CA dell'IGBT. L'anello non smorzato accoppiava 4.1 V alla linea campionata attraverso una capacità parassita del cablaggio di 22 pF, il doppio della risoluzione di 2 V su cui agisce il circuito di smistamento. Il circuito correggeva uno squilibrio fantasma e, nel farlo, iniettava una distorsione a bassa frequenza.
La schermatura ha aiutato solo marginalmente. È stato lo smorzamento dell'anello alla sua sorgente a risolvere il problema: il segnale campionato è sceso a 0.4 V, un quinto della soglia di rilevamento, e la dispersione è crollata a ±3 V senza alcuna modifica al codice di controllo.
Punto critico 3: Resistore di smorzamento a filo avvolto che non era resistivo all'anello
Un intervento di retrofit specificava resistori di smorzamento da 0.47 Ω/5 W. L'acquisto di componenti sostitutivi a filo avvolto con identiche specifiche in corrente continua ha generato una seconda risonanza a 1.2 MHz e due resistori si sono guastati entro cinque mesi.
L'analisi dell'impedenza ha fornito la spiegazione. L'avvolgimento da 75 nH presentava un'impedenza di 31.5 Ω a 67 kHz e di 565 Ω a 1.2 MHz. Lo smorzatore era in circuito aperto alla frequenza per cui era stato progettato e la sua induttanza formava un nuovo circuito risonante con il condensatore dello smorzatore.
Sostituzioni a film spesso non induttive del HVR-BSP classe misurata ≤0.6 Ω a 67 kHz su un analizzatore di rete. Hanno ridotto l'ampiezza dell'anello del 71%, cancellato la linea a 1.2 MHz e posto fine a un tasso di guasto di tre smorzatori per trimestre. Il resistore deve essere specificato dalla sua impedenza a f_ring; la sua resistenza in corrente continua non predice se smorza.
Punto critico 4: Ammortizzatore non sterzante che raddoppiava il proprio ciclo di lavoro
Un produttore OEM ha cablato correttamente R e C senza il diodo di sterzo, basandosi sul presupposto che la resistenza fosse comunque sottoposta a corrente alternata. Il circuito ha funzionato (la tensione di ritorno è passata da 17 V a 4 V), ma l'analisi termica ha mostrato un riscaldamento equivalente di 9.8 W contro i 5.6 W calcolati, e due smorzatori hanno subito una deriva del +6% entro un anno.
L'analisi ha rilevato il semiciclo inverso. In assenza di diodo, ogni periodo di smorzamento forzava un impulso inverso attraverso R_d. C_d, oscillando di ±20 V con una polarizzazione di 900 V, entrava in un regime di declassamento in cui la capacità diminuiva del 19% e lo smorzatore si disallineava.
L'installazione del diodo da 75 ns ha dimezzato il numero di impulsi della resistenza, ha permesso a C_d di operare a polarizzazione costante e ha stabilizzato la sintonizzazione.
4. Fasi di progettazione e selezione
Strategia 1: Misurare f_ring e Z0 prima di dimensionare l'ammortizzatore
Caratterizzare ogni progetto di cella una sola volta. Uno step di spegnimento di 20 A nella sbarra di produzione, misurato con una sonda differenziale da 350 MHz, fornisce direttamente f_ring e Z0. Ogni numero di smorzatore deriva da questi due valori: R_d sul valore standard più vicino e potenza prevista entro ±20%. Le flotte che saltano questo passaggio dimensionano gli smorzatori per abitudine, e ogni caso di dolore sopra riportato era dimensionato per abitudine.
Strategia 2: Impostare R_d = Z0 e utilizzare una resistenza non induttiva
La condizione di corrispondenza fornisce ζ ≈ 0.5 con un valore standard: 0.47 Ω per un anello da 0.5 Ω. Al di sotto di 0.3·Z0 lo smorzatore è sottosmorzato. Al di sopra di 2·Z0 riflette il bordo e fa risuonare il proprio anello.
La parte deve rimanere resistiva a f_ring. Utilizzare una pellicola spessa non induttiva del HVR-BSP classe (ESL inferiore a 5 nH) con una valutazione adiabatica superiore all'energia per bordo e un margine di potenza media di almeno 2×. Al di sopra di circa 10 kHz, le parti a filo avvolto sono escluse dalla propria induttanza.
Strategia 3: Adattare X_Cd a R_d e ridurre la potenza del condensatore per la polarizzazione
C_d deve presentare X_Cd(f_ring) ≤ R_d. Un transistor ceramico di Classe I da 4.7 µF soddisfa un obiettivo di 0.47 Ω a 67 kHz con margine.
Poiché C_d percorre l'intero collegamento CC, la sua capacità deve essere almeno il doppio di quella del bus cellulare. Un componente da 1.2 kV su una linea a 900 V mantiene almeno il 90% della sua capacità in servizio e la legge N4700 ±30 ppm/°C mantiene la frequenza di taglio dello smorzatore nell'intervallo di temperatura compreso tra -25 e +55 °C. I dielettrici di classe II perdono il 20-40% della loro capacità sotto polarizzazione e calore, quindi questo nodo è dove un dielettrico a bassa deriva e basso DF giustifica il suo costo.
Strategia 4: Guidare il ramo con un diodo da 75 ns
Un diodo a recupero rapido antiparallelo dimezza il numero di impulsi della resistenza, elimina la sollecitazione inversa da C_d e non aggiunge nulla in corrente continua. Dall'anello derivano due condizioni: t_rr ≤ 1% del semiperiodo dell'anello e Q_rr/C_d inferiore a 1 V. Al di sopra di 60 A di corrente dell'anello, verificare il recupero del diodo stesso con la stessa sonda. Un diodo lento trasforma lo smorzatore in una seconda sorgente di rumore.
Strategia 5: Ricontrollare dopo le modifiche al layout e registrare l'anello nella telemetria
L'anello dipende dalla geometria del layout. La riprogettazione delle barre collettrici, la sostituzione di banchi di cavi o la modifica di un modulo spostano f_ring e Z0, quindi è necessario convalidare nuovamente ogni variante con una sessione di test di 20 minuti.
In fase di manutenzione, aggiungere un controllo della banda 40-100 kHz alla telemetria delle celle. Una linea ad anello crescente è il primo sintomo di invecchiamento del banco di batterie, rilassamento delle giunzioni o deriva degli smorzatori, e si manifesta anni prima degli allarmi termici. Due flotte che hanno aggiunto questo controllo hanno rilevato ogni degrado prima del guasto a livello di cella.
| Dimensioni | Specificazione | Impatto sul sistema |
|---|---|---|
| Caratterizzazione dell'anello | f_ring e Z0 misurati per layout di cella, ricontrollati durante la rilavorazione | Smorzatore dimensionato in base ai valori misurati, previsione di potenza ±20%. |
| Resistenza smorzatrice | HVR-BSP non induttivo, R_d = Z0, ESL inferiore a 5 nH | ζ ≈ 0.5; energia dell'anello convertita in calore, non in radiazione. |
| Condensatore smorzante | N4700(T3M), ≥2× potenza nominale del bus, ±30 ppm/°C, DF ≤ 0.2% (inferiore allo 0.1% misurato) | Regolazione stabile in funzione della polarizzazione e della temperatura |
| Diodo di sterzo | Recupero rapido, t_rr ≤ 75 ns, spostamento di Q_rr inferiore a 1 V | Dimezza il ciclo di lavoro della resistenza; protegge la polarizzazione del condensatore |
| bilancio di potenza della serranda | ≥2 volte il margine rispetto al dazio E×f calcolato | Nessuna deriva e nessun invecchiamento termico del ramo |
| Telemetria della flotta | Monitoraggio della banda 40–100 kHz nella catena di campionamento | Anni di sistemi di allerta precoce prima degli allarmi termici |
5. Banco di smorzamento HVC per collegamenti in corrente continua delle celle SVG
Questo nodo necessita di tre proprietà che un condensatore commerciale non considera prioritarie: capacità stabile sotto polarizzazione CC, bassa dissipazione a 40–100 kHz e un resistore partner che mantenga la sua resistenza a f_ring. HVC realizza la coppia come un set coordinato.
Produzione
Condensatore HVC La Manufacturing Co., Ltd. gestisce uno stabilimento di proprietà di 6,000 m² a Dongguan, con formulazione interna della ceramica, pressatura isostatica, cottura e collaudo completo. La ceramica di Classe I a base di stronzio N4700(T3M) offre DF ≤ 0.2% (tipicamente misurato al di sotto dello 0.1%), ±30 ppm/°C e valori nominali da 1 kV a 150 kV in corrente continua. Un disco di smorzamento da 1.2 kV su una linea a 900 V presenta quindi un margine reale di 2×.
Tre famiglie coprono la gamma: la serie radiale HVCT9G (1–50 kV, 100 pF–2200 pF) per i valori di smorzamento per cella, la Serie di pomelli per porte HVCT8G (10–100 kV+, 100 pF–10 nF) per celle a voltaggio più elevato e il Famiglia di cilindri e dischi RF HVCHF (DF ≤ 0.006%, fino a 160 kVA) per le applicazioni ad alta frequenza più gravose.
Sei motivi per cui i team specificano HVC qui
In questo nodo contano sei proprietà:
- Dielettrico di classe I stabile in polarizzazione, pertanto la frequenza di taglio dello smorzatore non varia con la tensione.
- Costruzione a passo corto con ESL abbinato alla fascia dell'anello.
- Screening degli impulsi su ogni ramo di smorzamento: PD ≤ 5 pC a 1.5× tensione nominale, IR ≥ 200,000 MΩ, dv/dt ≥ 1000 V/µs, FIT inferiore a 10.
- HVR-BSP Resistori non induttivi forniti in coppia sintonizzata, con dati f_ring misurati disponibili su richiesta.
- Diodi di pilotaggio a recupero rapido (t_rr ≤ 75 ns) forniti in kit per installazioni di retrofit immediate.
- Dichiarazione esplicita dell'ambito di applicazione: HVC fornisce il nodo di smorzamento, la catena di campionamento e la rete di blocco, mentre il banco di accumulo principale e lo stack IGBT rimangono di competenza dell'OEM.
Riferimento incrociato e consegna
Vishay 660R/HVCC/715C, Murata DHS/DHR, AVX HP/HW e TDK UHV/FHV sono affidabili per il solo condensatore, mentre HEC HT50-59 è adatto per applicazioni RF. Il case HVC si basa sul set coordinato — condensatore, resistore non induttivo e diodo di pilotaggio progettati in base all'anello misurato — oltre alla consegna: componenti standard in 4-8 settimane e set di smorzamento personalizzati in 6-10 settimane, rispetto alla norma di 20-30 settimane.
I clienti di riferimento GE HealthCare, ABB, Johnson & Johnson, Nikon e Konica Minolta utilizzano lo stesso sistema di qualità che controlla ogni ramo di smorzamento.
Invia una cattura dell'anello — f_ring, Z0 e tensione del bus cellulare — e l'ingegneria applicativa di HVC ti restituirà un foglio di dimensionamento dello smorzatore con i codici dei componenti, un budget di potenza e un kit di valutazione con due campioni entro cinque giorni lavorativi.
6. Domande frequenti
D1: Come si dimensiona la resistenza di smorzamento per il collegamento in corrente continua di una cella SVG?
Misurare prima l'anello. Su un anello busbar da 1.2 µH con una superficie del banco ad alta frequenza da 4.7 µF, f_ring è 66.9 kHz e Z0 è 0.505 Ω. Impostare R_d = Z0 e scegliere il valore standard più vicino, 0.47 Ω. Quindi verificare che il condensatore presenti X_Cd(f_ring) ≈ R_d: 4.7 µF fornisce 0.51 Ω a 66.9 kHz, che corrisponde. La condizione di corrispondenza è soddisfatta ζ ≈ 0.5 e riduce il primo overshoot al 16% del gradino.
D2: Perché la resistenza di smorzamento deve essere non induttiva?
Poiché la frequenza di smorzamento è 40–100 kHz. Un resistore a filo avvolto con avvolgimento di 75 nH presenta 31.5 Ω a 67 kHz, circa sessanta volte il suo valore CC di 0.47 Ω. A f_ring si comporta come un circuito aperto, non fornisce smorzamento e forma una seconda risonanza con il condensatore di smorzamento. In un retrofit quella seconda risonanza è apparsa a 1.2 MHz e due resistori si sono guastati in circuito aperto entro cinque mesi. Film spesso non induttivo del HVR-BSP classe misurata ≤0.6 Ω a 67 kHz e ampiezza dell'anello ridotta del 71%.
Q3: Quanta potenza dissipa il resistore di smorzamento?
L'energia per fronte è E = ½·C_d·ΔV². Con C_d = 4.7 µF e ΔV = 20 V, E = 0.94 mJ. Due fronti per ciclo a 3 kHz corrispondono a 6,000 fronti al secondo, quindi la potenza media è di circa 5.6 W. Dimensionare la resistenza per tale valore medio con un margine di almeno 2× e verificare la potenza nominale adiabatica rispetto all'energia per fronte. Un componente non induttivo da 5 W con una potenza nominale ≥2 J assorbe ogni impulso come una leggera ondulazione di temperatura.
D4: Ho bisogno di un diodo di pilotaggio in parallelo alla resistenza di smorzamento?
Sì, e le misurazioni spiegano il perché. Senza di esso, la resistenza è soggetta a semicicli a polarità inversa, quindi il numero di impulsi raddoppia. Un produttore OEM ha misurato un riscaldamento equivalente di 9.8 W contro un calcolo di 5.6 W, e il condensatore, che oscillava di ±20 V su una polarizzazione di 900 V, ha perso il 19% della sua capacità e ha disallineato il ramo. Un diodo a recupero rapido antiparallelo con t_rr ≤ 75 ns dimezza il duty cycle della resistenza e mantiene il condensatore a una polarizzazione stabile.
Q5: Quale dielettrico per condensatore dovrei usare in questo nodo?
Utilizzare un dielettrico di Classe I. Il condensatore di smorzamento percorre l'intera linea CC, quindi la sua capacità non deve variare con la polarizzazione o la temperatura. I dielettrici di Classe II perdono il 20-40% della loro capacità sotto polarizzazione e calore, il che altera l'effetto smorzatore. Un componente N4700(T3M) mantiene una variazione di ±30 ppm/°C e un DF ≤ 0.2%, tipicamente inferiore allo 0.1%, nell'intervallo di temperatura da -25 a +55 °C. Il condensatore deve avere una tensione nominale almeno doppia rispetto alla tensione del bus di cella: un componente da 1.2 kV su una linea a 900 V mantiene almeno il 90% della sua capacità in servizio.
D6: Come faccio a sapere se l'ammortizzatore funziona ancora dopo la messa in servizio?
Aggiungere un controllo della banda 40-100 kHz alla telemetria della cella. La linea ad anello è il primo indicatore di invecchiamento del banco, rilassamento delle giunzioni o deriva dello smorzatore e aumenta anni prima degli allarmi termici. Riconvalidare con una sessione di sonda di 20 minuti ogni volta che la configurazione cambia, perché la rilavorazione delle sbarre collettrici o la sostituzione di un banco modificano sia f_ring che Z0. In un impianto da 2 MW, la linea ad anello registrata è scesa da 18 V a 2.8 V dopo lo smorzamento e l'hotspot del terminale è sceso di 11 °C.
7. Riferimenti
- CEI 60270, Tecniche di prova ad alta tensione — Misurazioni di scariche parzialiGinevra: IEC, 2015.
- CEI 60384-8, Condensatori fissi per impiego in apparecchiature elettroniche — Parte 8: Condensatori fissi a dielettrico ceramico, Classe 1Ginevra: IEC, 2015.
- CEI 61000-3-6, Compatibilità elettromagnetica (CEM) — Parte 3-6: Limiti — Valutazione dei limiti di emissione per la connessione di impianti distorcenti a sistemi di alimentazione MT, AT e AT.Ginevra: IEC, 2008.
- Norma IEEE 519-2014, Pratiche e requisiti raccomandati dall'IEEE per il controllo delle armoniche nei sistemi di energia elettricaPiscataway, NJ: IEEE, 2014.
- Hingorani, NG, e Gyugyi, L., Comprensione dei FACTS: concetti e tecnologie dei sistemi di trasmissione CA flessibiliNew York: Wiley-IEEE Press, 2000.
- Akagi, H., Watanabe, EH e Aredes, M., Teoria della potenza istantanea e applicazioni al condizionamento di potenza, 2ª ed. Hoboken, NJ: Wiley-IEEE Press, 2017.
- Team di ingegneria applicativa HVC, Risorse tecniche sui condensatori ceramici ad alta tensione, https://www.hv-caps.com
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